本研究旨在探討半導體及光電產業製程中所使用之三氯矽甲烷(trichlorosilane，TCS)，因洩漏燃燒時之鹽酸氣膠、鹽酸氣體及氯氣之排放特徵與排放率。
本研究建置一暴露腔在設定空氣置換率為6ACH時，針對五種不同相對濕度(RH，50%、60%、70%、80%及90%；各重複三次)，進行TCS燃燒實驗，同時並針對其產生之鹽酸氣膠、鹽酸氣體及氯氣實施採樣及分析。
鹽酸氣膠係利用微米及奈米微孔均勻沉積衝擊器(Nano－andMicro-OrificeUniformDepositImpactor，Nano－MOUDI及MOUDI)實施粒徑分布採樣。
鹽酸氣體及氯氣依據NIOSH7903及NIOSH6011分別利用矽膠管(silicageltube)及銀膜濾紙(silversampler)進行樣本採集。
全部鹽酸氣膠、鹽酸氣體及氯氣均以以離子層析分析技術(Ionchromatographywithelectroncapturedetection，IC-ECD)進行分析。
研究結果發現如下(1)燃燒後生成物以鹽酸氣膠為主(濃度為1.30×105－1.46×105mg/m3)，次為鹽酸氣體(6.38×103－11.3×103mg/m3)，最後為氯氣(1.91×103－2.18×103mg/m3)；(2)鹽酸氣膠之粒徑分布以累積群微粒(accumulationmode)為主，其質量中位粒徑(MassMediumAerodynamicDiameter，MMAD)均介於0.808－1.35m；幾何標準差(GeometricStandardDeviation，GSD)介於2.13－3.50。
鹽酸氣膠主要會沉積於肺泡區(佔全部氣膠之86.7%－88.8%)，其次依序為胸腔區(6.8%－10.7%)及頭區(4.7%－6.7%)。
(3)從燃燒前後之質量平衡的結果亦可發現，燃燒後產物所測得之氯原子為燃燒前之90.1－93.1%，校正後之污染物其排放係數(EF)及排放率(ER)如下：(i)鹽酸氣膠EF為713.7－741.7mg/gTCS；ER為6715.7－7404.1mg/mi)；(ii)鹽酸氣體EF為37.2－56.3mg/gTCS；ER為338.1－584.0mg/min；(iii)氯氣EF為9.50－11.6mg/gTCS；ER為98.6－112.7mg/min。
(4)本研究亦發現RH之變化並未對鹽酸氣膠、鹽酸氣體及氯氣之組成有顯著影響，主要係因各測試條件下腔體之RH均可達飽和所致。
為保護勞工健康，本研究建議TCS作業場所應置備全面體複合式之呼吸防護具，以防止TCS洩漏燃燒產生鹽酸氣膠、鹽酸氣體及氯氣所造成之健康危害。
